Micron tăng cường sức mạnh cho chip NVIDIA với HBM3E và SOCAMM thế hệ mới

Micron, một trong những nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu, đang tăng cường hợp tác với NVIDIA để cung cấp các sản phẩm bộ nhớ hiệu năng cao cho các chip xử lý AI tiên tiến như HGX B300 NVL16 và GB300 NVL72. Tại sự kiện GTC 2025, Micron đã giới thiệu các sản phẩm bộ nhớ mới nhất, bao gồm 12H HBM3E và SOCAMM, nhằm nâng cao hiệu suất và hiệu quả của các nền tảng AI.

Trong bối cảnh nhu cầu về xử lý AI ngày càng tăng, các nhà sản xuất bộ nhớ như Micron, SK Hynix và Samsung đang cạnh tranh để cung cấp các giải pháp bộ nhớ mạnh mẽ nhất cho các chip xử lý đồ họa (GPU) dành cho trung tâm dữ liệu, đặc biệt là dòng Blackwell của NVIDIA. Micron đã chính thức tham gia cuộc đua này bằng việc giới thiệu các sản phẩm bộ nhớ tiên tiến của mình.

Micron hợp tác với NVIDIA để cung cấp bộ nhớ HBM3E 12H và SOCAMM cho các chip hiệu năng cao. Bộ nhớ SOCAMM (small outline compression attached memory module) dựa trên LPDDR5X của Micron sẽ được sử dụng trên siêu chip GB300 Grace Blackwell Ultra của NVIDIA, trong khi bộ nhớ HBM3E 12H 36GB sẽ được sử dụng trên các nền tảng HGX B300 NVL16 và GB300 NVL72.

Đây là những chip Blackwell mới nhất và mạnh mẽ nhất được NVIDIA công bố tại sự kiện GTC. Micron cũng cung cấp chip HBM3E 8H 24GB cho NVIDIA cho các nền tảng HGX B200 và GB200 NVL72. Bộ nhớ HBM3E 12H có 12 die DRAM xếp chồng theo chiều dọc, đạt dung lượng bộ nhớ cao hơn 12GB so với biến thể 8H. Do khối lượng công việc AI đòi hỏi nhiều bộ nhớ, chip bộ nhớ 36GB sẽ tăng đáng kể dung lượng bộ nhớ trên GPU NVIDIA.

So với ngăn xếp HBM3E 8H, tổng dung lượng bộ nhớ tăng 50% với bộ nhớ HBM3E 12H. Điều này cho phép GPU Blackwell Ultra chạy các mô hình lớn hơn và Meta Llama 405B hiện có thể phù hợp trên một GPU duy nhất. Bộ nhớ HBM3E mới không chỉ có dung lượng bộ nhớ và băng thông bộ nhớ cao hơn mà còn tiêu thụ ít hơn 20% điện năng, lý tưởng cho các trung tâm dữ liệu.

SOCAMM dựa trên LPDDR5X là một lựa chọn tuyệt vời cho điện toán hiệu năng cao (HPC). Nó chỉ có kích thước 14x90mm, chiếm gần 1/3 không gian của RDIMM và có thể cung cấp tới 128GB mỗi mô-đun bằng cách sử dụng ngăn xếp 16 die bộ nhớ LPDDR5X. SOCAMM tiết kiệm điện hơn đáng kể so với RDIMM thông thường và cung cấp băng thông gấp hơn 2,5 lần.

Hiện tại, Micron có một danh mục sản phẩm mạnh mẽ bao gồm bộ nhớ GDDR7 (được sử dụng trên GPU NVIDIA Blackwell RTX 50 series), RDIMM và MRDIMM DDR5 dung lượng cao, HBM3E và SOCAMM, cũng như các giải pháp lưu trữ hàng đầu trong ngành như Micron 9550 NVMe và 7450 NVMe SSD. Samsung cũng đã phát hành SSD 9100 PRO hàng đầu của mình với tiêu chuẩn PCI-E 5.0, cung cấp tốc độ đọc tuần tự lên đến 14.800 MB/s.

Sự hợp tác giữa Micron và NVIDIA, cùng với việc ra mắt các sản phẩm bộ nhớ tiên tiến như HBM3E 12H và SOCAMM, đánh dấu một bước tiến quan trọng trong việc phát triển các nền tảng AI hiệu năng cao. Cuộc đua bộ nhớ hiệu năng cao đang diễn ra sôi động, và các nhà sản xuất bộ nhớ đang không ngừng nỗ lực để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường AI.